Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD26AN06A0

MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD26AN06A0

FDD26AN06A0 Hakkında

FDD26AN06A0, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim ve 36A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 26mΩ düşük Rds(on) direnci ile ısıl kayıpları minimize eder. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç amplifikatörleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 75W güç dissipasyonunu tolere edebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta), 36A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 36A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok