Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD26AN06A0

MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD26AN06A0

FDD26AN06A0 Hakkında

FDD26AN06A0, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj desteği ve 36A (Tc) sürekli akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 26mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp işletim sağlar. Surface mount TO-252 (D-Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, 75W güç dağıtımına kadar dayanıklıdır. ±20V gate-source voltaj ve 4V eşik voltajı ile geniş uygulama yelpazesini destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta), 36A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 36A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok