Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD2670
MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD2670
FDD2670 Hakkında
FDD2670, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, 200V drain-source voltajı ve 3.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 130mΩ maksimum kanal direnci (Rds On) sayesinde düşük enerji kaybı sağlar. 10V gate voltajında çalışan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerde, motor kontrolü ve anahtarlama güç kaynakları uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında stabil çalışma, geniş uygulamalar için uygunluğunu artırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1228 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W (Ta), 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 3.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok