Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD2612
MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD2612
FDD2612 Hakkında
FDD2612, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 4.9A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı sürücü geriliminde 720mOhm açık durum direncine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. MOSFET teknolojisine dayalı tasarımı sayesinde hızlı anahtarlama ve düşük güç tüketimi sağlar. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 42W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile orta-güç uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 234 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 720mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok