Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD2572-F085

N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 15

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD2572

FDD2572-F085 Hakkında

FDD2572-F085, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel PowerTrench MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygun olan bu bileşen, 4A sürekli drenaj akımı (Ta'da) ve 29A (Tc'de) kapasitesi ile orta güç seviyesi tasarımlarına uygun tasarlanmıştır. 54mOhm maksimum on-state direnci (10V gate geriliminde 9A'de) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252 (DPak) paket tipinde surface mount uygulamalarına uygundur. Sıcaklık aralığı -55°C ile 175°C arasında değişmektedir. DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta), 29A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1770 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 54mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok