Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD2570
MOSFET N-CH 150V 4.7A TO252
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD2570
FDD2570 Hakkında
FDD2570, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi (Vdss) ve 4.7A sürekli dren akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 80mOhm tipik on-resistance değeri ile anahtarlama devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen komponentin maksimum gate-source gerilimi ±20V'tur. 62nC gate charge ve 1907pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun özellikleri sunar. Entegre tab yapısı, ısı yönetimi için güçlü montaj sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1907 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W (Ta), 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 4.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok