Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD2512
MOSFET N-CH 150V 6.7A TO252
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD2512
FDD2512 Hakkında
FDD2512, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V Drain-Source gerilimi ve 6.7A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu komponentin Rds(on) değeri 420mOhm'dur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen FDD2512, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörler, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. 11nC gate charge ve 344pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. ±20V maksimum gate-source gerilimi güvenli tasarım marjı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 344 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok