Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD24AN06LA0_SB82179
MOSFET N-CH 60V 7.1A/40A TO252AA
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD24AN06LA0
FDD24AN06LA0_SB82179 Hakkında
FDD24AN06LA0, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 40A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 19mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, anahtarlama güç kaynakları ve güç dağıtım sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında kararlı performans sunar. 75W maksimum güç tüketimi kapasitesiyle endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.1A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok