Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD24AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 7.1A/40A TO252AA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD24AN06LA0
FDD24AN06LA0 Hakkında
FDD24AN06LA0, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajı (Vdss) ve 40A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. 10V gate voltajında 19mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. TO-252 (D-Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığına sahiptir. Anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörler, motor kontrol ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 75W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile termal performans kritik olan tasarımlarda kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.1A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok