Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD20AN06A0-F085

MOSFET N-CH 60V 8A/45A TO252AA

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD20AN06A0

FDD20AN06A0-F085 Hakkında

FDD20AN06A0-F085, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 45A sürekli akım kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları ve enerji dönüşüm uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 20mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp ve yüksek verimlilik sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 90W güç dağıtabilir. Endüstriyel, otomotiv ve tüketici elektronik cihazlarında yaygın olarak uygulanmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta), 45A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 45A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok