Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD18N20LZ
MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD18N20LZ
FDD18N20LZ Hakkında
FDD18N20LZ, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilimi ve 16A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtar uygulamalarında tercih edilir. 125mΩ (10V, 8A'de) RDS(on) değeri ile düşük kayıplar sağlar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. 5V ve 10V drive voltage seçenekleri ile çeşitli kontrol devrelerine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1575 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok