Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD16AN08A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD16AN08A0
FDD16AN08A0 Hakkında
FDD16AN08A0, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 75V Drain-Source gerilimi ve 9A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 16mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +175°C arası çalışma sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörler, motor kontrol ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 135W güç disipasyon kapasitesi ile yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren tasarımlarda etkili bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1874 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 135W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 50A, 10V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok