Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD16AN08A0_NL
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD16AN08A0
FDD16AN08A0_NL Hakkında
FDD16AN08A0_NL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 75V Drain-Source gerilimi ve 50A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (16mOhm @ 50A, 10V) ile güç uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Motor kontrolü, güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve DC-DC konvertörleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 135W maksimum güç disipasyonu ile soğutma gereksinimlerinin yönetildiği sistem tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1874 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 135W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok