Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD16AN08A0_NF054

MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD16AN08A0

FDD16AN08A0_NF054 Hakkında

FDD16AN08A0_NF054, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 75V drain-source gerilimi (Vdss) ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 16mOhm maksimum on-resistance (10V, 50A koşullarında) ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, güç yönetimi devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 135W maksimum güç tüketimi, kompakt paketleme ve düşük RDS(on) değeri ile verimli tasarımlar sağlar. Ürün obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta), 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1874 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok