Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD16AN08A0-F085

MOSFET N-CH 75V 9A/50A TO252AA

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD16AN08A0

FDD16AN08A0-F085 Hakkında

FDD16AN08A0-F085, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 75V drain-source voltaj desteği ve 50A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bileşen, düşük 16mΩ drain-source direnci (Rds(on)) ile enerji kaybını minimize eder. 47nC gate charge ve 1874pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama uygulamalarını destekler. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, 135W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta), 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1874 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok