Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD16AN08A0
MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD16AN08A0
FDD16AN08A0 Hakkında
FDD16AN08A0, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 75V drain-source gerilim ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) paket tipi ile yüzey montajı uygulamalarında kullanılır. 16mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 47nC gate charge karakteristiği ile anahtarlama hızı ve verimlilik açısından güvenilir performans sunar. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Maksimum 135W güç tüketimi kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronikleri tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1874 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 135W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok