Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD1600N10ALZD
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-5
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD1600N10A
FDD1600N10ALZD Hakkında
FDD1600N10ALZD, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 6.8A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulur. 160mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılan genel amaçlı güç transistörüdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.61 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 14.9W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 (DPak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok