Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD1600N10ALZ
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD1600N10A
FDD1600N10ALZ Hakkında
FDD1600N10ALZ, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj (Vdss) kapasitesine ve 6.8A sürekli drain akımına sahiptir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnç (160mOhm @ 10V) özelliği ile güç uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç dönüştürücü uygulamaları ve boost/buck konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. 5V ve 10V gate sürücü voltajlarını destekler, maksimum Vgs değeri ±20V'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.61 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 14.9W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok