Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD14AN06LA0-F085
MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AA
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD14AN06LA0
FDD14AN06LA0-F085 Hakkında
FDD14AN06LA0-F085, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source gerilimi ve 50A (Tc) sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 11.6mOhm düşük RDS(on) direnci sayesinde verimli anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 125W güç dağıtabilir. Motor sürücüleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Ta), 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2810 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok