Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD13AN06A0_NL
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD13AN06A0
FDD13AN06A0_NL Hakkında
FDD13AN06A0_NL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim kapasitesi ve 50A sürekli drenaj akımı ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 13.5mΩ on-resistance (10V Vgs'de) ile düşük ısıl kayıplar sağlar. TO-252 (D-Pak) SMD paketinde sunulur ve -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. SMPS kontrolcüleri, DC-DC dönüştürücüleri, motor sürücü devreleri ve anahtarlama güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 115W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile yüksek akım anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.9A (Ta), 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok