Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD13AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD13AN06A0
FDD13AN06A0-F085 Hakkında
FDD13AN06A0-F085, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 13.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı endüstriyel ortamlara uygunluk gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.9A (Ta), 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok