Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD13AN06A0
MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD13AN06A0
FDD13AN06A0 Hakkında
FDD13AN06A0, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source voltajı ve 50A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük Rds On direnci (13.5mΩ @ 50A, 10V) sayesinde enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen FDD13AN06A0, anahtarlama devreleri, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 115W güç dağılım kapasitesi, endüstriyel ve tüketici elektronik cihazlarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.9A (Ta), 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok