Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD120AN15A0_F085
FDD120AN15A0_F085
- Üretici
- WEC
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD120AN15A0
FDD120AN15A0_F085 Hakkında
FDD120AN15A0_F085, WEC tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 14A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 10V gate sürücü geriliminde 120mOhm maksimum on-state direnci sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen bileşen, düşük gate charge (14nC @ 10V) özelliğiyle hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç kaynağı yönetimi, motor kontrol, enerji dönüştürme ve endüstriyel anahtarlama devreleri başta olmak üzere, anahtarlama ve amplifikasyon gerektiren uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 743 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok