Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD10N20LZTM
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD10N20LZ
FDD10N20LZTM Hakkında
FDD10N20LZTM, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 7.6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama ve sürücü uygulamalarında kullanılır. 360mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Motor kontrolü, anahtarlamalı güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve diğer güç yönetimi devrelerinde uygulanır. ±20V gate voltajı toleransı ve düşük gate charge değeri (16nC) hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 585 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok