Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD10AN06A0Q
1-ELEMENT, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD10AN06A0Q
FDD10AN06A0Q Hakkında
FDD10AN06A0Q, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 60V drain-source gerilimi ve 11A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10.5mOhm düşük kanal direnci (Rds On), güç kontrol ve anahtarlama uygulamalarında verimli çalışmayı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Maksimum 135W güç dağıtabilir ve ±20V gate gerilimi toleransına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1840 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 135W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok