Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD107AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 3.4A/10.9A TO252
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD107AN
FDD107AN06LA0 Hakkında
FDD107AN06LA0, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source gerilim kapasitesine sahip bu bileşen, 25°C'de 3.4A ve Tc'de 10.9A sürekli drain akımı sağlar. Rds(On) değeri 10.9A ve 10V Vgs koşullarında maksimum 91mOhm'dur. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş uygulamalar için uygundur. Maksimum 25W güç tüketimi kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A (Ta), 10.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 91mOhm @ 10.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok