Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD050N03B
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD050N03B
FDD050N03B Hakkında
FDD050N03B, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 50A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıplar sağlar. TO-252 (DPak) paket tipi ile yüzey monte uygulamalarına uygun hale getirilmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı olan bu bileşen, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, anahtarlama kaynakları ve yük anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2875 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok