Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDC8886

MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC8886

FDC8886 Hakkında

FDC8886, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilim ile 6.5A (Ta) / 8A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. SOT-23-6 paketinde sunulan bu bileşen, 23mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama direnci sağlar. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışabilir ve 7.4nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Güç yönetimi, motor kontrol, LED sürücüsü ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Ta), 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 465 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok