Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDC8878

MOSFET N-CH 30V 8A/8A SUPERSOT6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC8878

FDC8878 Hakkında

FDC8878, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı özelliğine sahiptir. 16mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük kayıp uygulamalar için uygundur. SuperSOT-6 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek yoğunluklu entegrasyon gerektiren güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. ±20V gate gerilimi ve 3V eşik gerilimi ile geniş kontrol aralığı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uyarlandırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta), 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1040 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok