Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDC855N
MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDC855N
FDC855N Hakkında
FDC855N, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 6.1A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 27mΩ on-resistance değeri ile düşük güç tüketimi sağlar. SuperSOT-6 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 13nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği barındırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 655 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 6.1A, 10V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok