Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDC699P

MOSFET P-CH 20V 7A SUPERSOT6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC699P

FDC699P Hakkında

FDC699P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu komponent, düşük RDS(on) değeri (22mOhm @ 7A, 4.5V) ile verimli anahtarlama sağlar. SuperSOT-6 paket tipinde sunulan FDC699P, güç yönetimi, batarya koruması, load switching ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. ±12V maksimum gate-source gerilimi ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ile çeşitli endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur. Düşük gate charge (38nC @ 5V) hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2640 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-6 FLMP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok