Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDC699P

MOSFET P-CH 20V 7A SUPERSOT6

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC699P

FDC699P Hakkında

FDC699P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 7A sürekli dren akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. 22mOhm'luk RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. SuperSOT-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve batarya koruma sistemlerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Bileşen kullanım dışı (Obsolete) durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2640 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-6 FLMP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok