Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDC658P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDC658P
FDC658P Hakkında
FDC658P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. SOT-23-6 (SuperSOT-6) paketinde sunulan bu küçük sinyal alan-etkili transistör, maksimum 30V drain-source voltajında 4A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 50mΩ maksimum on-state direnci ile 10V gate voltajında çalışan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arası sıcaklık aralığında stabil çalışan FDC658P, düşük kapasite değerleri (750pF) sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok