Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDC658AP
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDC658AP
FDC658AP Hakkında
FDC658AP, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET türü küçük sinyal transistördür. 30V Drain-Source gerilim kapasitesi ve 4A sürekli drain akımı özelliğine sahiptir. 50mOhm (10V, 4A) RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. SOT-23-6 (SuperSOT-6) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Hızlı anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrol devreleri ve sinyal anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Düşük kapı yükü (8.1nC) ve 470pF giriş kapasitanası ile entegre kontrol devrelerine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok