Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDC658AP-G
-30V SINGLE P-CHANNEL LOGIC LEVE
- Üretici
- Flip Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDC658AP
FDC658AP-G Hakkında
FDC658AP-G, Flip Electronics tarafından üretilen -30V Single P-Channel MOSFET transistördür. SOT-23-6 SMD paketinde sunulan bu komponent, 4A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 50mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. Çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 150°C arasında değişmektedir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, load switching ve analog anahtarlamada tercih edilir. 8.1nC gate charge ve 680pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Part Status Last Time Buy olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok