Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDC658AP
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDC658AP
FDC658AP Hakkında
FDC658AP, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. SOT-23-6 (SuperSOT-6) paket tipi ile surface mount uygulamalarında kullanılır. 50mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük açık direnç sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrolü gibi pek çok endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamasında yer alır. 1.6W maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok