Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDC655BN_NBNN007
MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDC655BN
FDC655BN_NBNN007 Hakkında
FDC655BN_NBNN007, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 6.3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. Düşük RDS(on) değeri (25mOhm @ 10V) sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. SuperSOT-6 paketlemesi ile kompakt PCB tasarımlarına uygundir. Mobil güç yönetimi, batarya koruma devreleri, LED kontrol ve küçük güç uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sağlar. Bileşen obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 800mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 6.3A, 10V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok