Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDC655BN-F40

MOSFET N-CH 30V

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC655BN

FDC655BN-F40 Hakkında

FDC655BN-F40, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ve 6.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Düşük on-state direnci (Rds On) 25mΩ @ 10V, 6.3A özellikleri sayesinde anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde verimli çalışma sağlar. Gate charge değeri 13nC ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. SOT-23-6 (SuperSOT-6) yüzey montajlı paket, kompakt PCB tasarımlarına uygun düşüktür. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Mobil cihazlar, güç kaynakları, motor sürücüler ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın kullanım alanlarına sahiptir. Not: Bu ürün üretim durdurulmuş (Obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 800mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6.3A, 10V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok