Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDC655BN-F40
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, LO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDC655BN
FDC655BN-F40 Hakkında
FDC655BN-F40, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel PowerTrench MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 6.3A sürekli drain akımı özelliğine sahip olan bu komponent, düşük RDS(on) değeri (25mΩ @ 10V) ile verimli güç iletimini sağlar. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve düşük gerilim güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. 13nC gate charge ve 620pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 6.3A, 10V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok