Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDC655AN
MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDC655AN
FDC655AN Hakkında
FDC655AN, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 6.3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. SuperSOT-6 (SOT-23-6) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, güç yönetimi sistemlerinde ve düşük işaret seviyesi anahtarlama işlemlerinde tercih edilir. 27mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp özelliği gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Gate charge değeri 13nC olup hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 830 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 6.3A, 10V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok