Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDC653N
MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDC653N
FDC653N Hakkında
FDC653N, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 5A sürekli drain akımı ile tasarlanmış olup, düşük RDS(on) değeri (35mΩ @ 5A, 10V) sayesinde minimum güç kaybı sağlar. SOT-23-6 (SuperSOT-6) paketinde sunulan bu bileşen, kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen FDC653N, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve yük yönetimi sistemlerinde kullanılır. Düşük gate charge (17nC @ 10V) hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok