Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDC645N_F095

MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC645N

FDC645N_F095 Hakkında

FDC645N_F095, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilim ve 5.5A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 26mOhm maksimum Rds(on) değeri düşük direnç uygulamalarında verimli çalışma sağlar. SOT-23-6 (SuperSOT-6) yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun hale getirilmiştir. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır. Maksimum ±12V gate gerilimi ve 2V threshold gerilimi ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Ürün obsolete durumda olup, stok kontrolü önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1460 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 6.2A, 10V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok