Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDC645N
MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDC645N
FDC645N Hakkında
FDC645N, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 5.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 26mΩ maksimum on-direnci (10V, 6.2A'da) ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-23-6 (SuperSOT-6) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 2V kapı eşik gerilimi ve 1460pF input kapasitansi ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri, motor sürücüler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1460 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 6.2A, 10V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok