Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDC642P-F085P

MOSFET P-CH 20V 4A TSOT23-6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC642P

FDC642P-F085P Hakkında

FDC642P-F085P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 4A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç anahtarlama ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. SOT-23-6 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 65mOhm on-resistance değeriyle düşük güç kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir. Düşük gate charge (9nC) hızlı anahtarlama performansı sunarken, 1.2W maksimum güç tüketimi ile ısıl tasarımda avantaj sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4A, 4.5V
Supplier Device Package TSOT-23-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok