Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDC642P-F085

MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC642P

FDC642P-F085 Hakkında

FDC642P-F085, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilim aralığında 4A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, SOT-23-6 (SuperSOT-6) paketinde sunulur. 65mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunar. Gate şarjı 16nC ve giriş kapasitesi 640pF olarak belirtilmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 1.2W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok