Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDC642P

MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC642P

FDC642P Hakkında

FDC642P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 4A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-6 (SuperSOT-6) paket formatında sunulan bu komponent, 65mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve load switching devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. 1.6W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile kompakt tasarımlarda ve mobil cihazlarda kullanıma uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 925 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok