Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDC640P_F095

MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC640P

FDC640P_F095 Hakkında

FDC640P_F095, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. SuperSOT-6 (SOT-23-6) yüzey montaj paketinde sunulur. 53mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 4.5V gate-source geriliminde en düşük RDS(on) değerine ulaşır. Kısıtlı gate yükü (13nC) ve düşük giriş kapasitesi (890pF) hızlı komütasyon gerektiren devre tasarımlarında tercih edilir. Parça kullanımdan kaldırılmıştır (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 890 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok