Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDC6392S

MOSFET P-CH 20V 2.2A SUPERSOT6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC6392S

FDC6392S Hakkında

FDC6392S, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltaj ve 2.2A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. SuperSOT-6 paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (150mOhm @ 4.5V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında enerji kaybını minimize eder. Gümrük dahili Schottky diyodu bulunmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, güç yönetimi, batarya şarj kontrolü, DC-DC dönüştürücü ve genel anahtarlama devrelerinde kullanılır. SOT-23-6 paket standardı, kompakt ve yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına olanak tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 369 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 960mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 2.2A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok