Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDC6392S

2.2A, 20V, P-CHANNEL, MOSFET

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC6392S

FDC6392S Hakkında

FDC6392S, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 2.2A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. Düşük Rds(on) değeri (150mOhm @ 4.5V) sayesinde enerji kaybını minimize eder. Schottky diyot entegrasyonu içeren bu bileşen, güç yönetimi uygulamalarında, batarya koruma devrelerinde, yükseltici (boost) ve indirici (buck) dönüştürücülerde kullanılır. SOT-23-6 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 369 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 960mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 2.2A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok