Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDC638P-P

MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC638P

FDC638P-P Hakkında

FDC638P-P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ile tasarlanmış olup, 4.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. SuperSOT-6 (SOT-23-6) paketinde sunulan bu FET, 48mΩ'luk düşük RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, güç yönetimi devrelerinde, anahtarlama kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaya uygundur. Düşük gate charge ve input capacitance değerleri hızlı anahtarlama sağlar. Surface mount paketi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygun bir seçenektir. Ürün şu anda üretim dışı (obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1160 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok